| 申请专利号 |
87101108 |
| 专利申请日 |
19870929 |
| 名称 |
陶瓷阻容元件电极的制造方法 |
| 公开（公告）号 |
1017423 |
| 公开（公告）日 |
19880330 |
| 类别 |
H01G 1/005、H01G 1/013、H01G 4/12、H01C 17/00、C23C 4/08 |
| 申请（专利权）人 |
中国科学院上海冶金研究所 |
| 地址 |
上海市长宁区长宁路865号 |
| 发明（设计）人 |
马圣驷、杨廷萍 |
| 专利代理机构 |
上海华东专利事务所 |
| 代理人 |
沈德新 |
| 摘要 |
| 本发明是一种用贱金属代替银，以热喷涂在陶瓷固体元器件上制备电极的方法。本发明方法采用常规热喷涂装置，以氧—乙炔（氢）焰和金属线材喷涂或以氧—乙炔（氢）焰和合金粉末喷涂或以等离子喷涂，在刻有需要孔形的掩模夹具夹持的陶瓷固体元器件的基体正反面进行喷涂，被复形成电极。电极的欧姆接触良好，样品参数均匀一致。本方法减轻了劳动强度，节约了大量银的消耗，且生产效率高，周期短，工艺投资少。 |
| 主权项 |
| 一种在陶瓷固体元器件上制备电极的方法，包括陶瓷固体元器件基片表面粗化工艺、清洗工艺和常规喷涂设备：空气压缩机、贮气罐、冷凝罐、氢气瓶、乙炔瓶、空气过滤器、减压阀、喷枪，其特征在于： （１）用贱金属代替银，以热喷涂在陶瓷固体元器件上制备电极， （２）贱金属包括铝、锌、铜和铝合金、锌锡合金、铜锌合金、铜锡合金以及陶瓷固体元器件导电电极所需的其它金属， （３）热喷涂是氧——乙炔（氢）焰喷涂或等离子喷涂， （４）喷涂工艺条件为：先将陶瓷元器件基片予热到２００℃，然后降至１２０℃—１５０℃喷涂， （５）有一付刻有电极需要孔形的掩模夹具。 |