半导体光控变容器
申请专利号 87103187
专利申请日 19870429
名称 半导体光控变容器
公开（公告）号 1016247
公开（公告）日 19880203
类别 H01G 9/20、H01L 31/10
申请（专利权）人 西安交通大学
地址 陕西省西安市咸宁路28号
发明（设计）人 朱长纯、刘君华
专利代理机构 西安交通大学专利事务所
代理人 徐文权
摘要
本发明公开一种半导体光控变容器，属半导体光电子器件，是一种由光源控制的对光辐射敏感的半导体器件，具ＭＩＮＰ四层结构，是以其两端电压为参变量的其两端电容值随光强变化的器件。具有如下各方面用途：作为光敏可变电容二极管、变容式光控开关、光电耦合器、光控有源滤波器和光强一频率变换器等。本器件工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。
主权项
一种ＭＩＮＰ四层结构的光控变容器，属光敏半导体器件，其特征是该器件由增透膜［１］、栅状的集电极［２］、绝缘层［３］、Ｎ型外延层［４］、Ｐ型衬底［５］和发射极［６］组成，该器件的电容值为光强Ｉ和偏置电压Ｖｅｃ的函数。

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