| 申请专利号 |
85108462 |
| 专利申请日 |
19851113 |
| 名称 |
具有包含铬还原剂之氧化物阴极的真空电子管 |
| 公开（公告）号 |
1001069 |
| 公开（公告）日 |
19860610 |
| 类别 |
H01J 19/14、H01J 1/14、H01J 1/20 |
| 申请（专利权）人 |
ＲＣＡ许可公司 |
| 地址 |
美国.新泽西州.普林斯顿.独立路2号 |
| 发明（设计）人 |
凯尼希.昆一山江 |
| 专利代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 |
吴秉芬 |
| 摘要 |
| 在一真空电子管中，一种创新的氧化物阴极包括含一金属基体，用以加热该基体至其工作温度的装置，和在该基体上的一碱土金属氧化物层．基体基本上含硅，并且包含大于１．０％（重量）的可作用浓度的铬金属，以逐渐迁移进入到氧化物层中，并还原该氧化物，以产生碱土金属． |
| 主权项 |
| 具有氧化物阴极的真空电子管包括金属基体，加热该基体到其工作温度的装置，以及在该基体上基本上由碱土金属氧化物构成的一层；其特征在于该基体（１８）基本上不含硅，而含有可作用浓度的铬金属，用以逐渐该氧化物，以产生碱土金属。 |