| 申请专利号 |
85109598 |
| 专利申请日 |
19851223 |
| 名称 |
高强度发射装置 |
| 公开（公告）号 |
1001728 |
| 公开（公告）日 |
19860716 |
| 类别 |
H01J 61/52、H01J 61/28、H01J 61/84 |
| 申请（专利权）人 |
沃泰克工业有限公司 |
| 地址 |
加拿大.温哥华市.潘达拉街1820号 |
| 发明（设计）人 |
戴维.姆.卡姆、尼古拉斯、庇.哈尔平、安东尼、杰.第.豪斯顿、阿恩舍维尔 |
| 专利代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 代理人 |
关定毅 许新根 |
| 摘要 |
| 一种高强度发射源，利用涡流发生构件在电弧室内表面上形成一液体涡流壁，以限制电极间产生的电弧的直径．该涡流发生构件包括一个液体进入电弧室前必须先经过的环形限制构件，其尺寸足以使电弧室内有足够的压力和速度，以减少或消除可能传输至电弧室内液壁的流动不规则的现象，可装一喷嘴以产生液体和气体所需的轴向涡流流型．邻近电弧室的排放室均匀变细，以防止干扰流动．电极上的翅片用于减少电弧室内的反向气体、液体流． |
| 主权项 |
| 一种产生高强度发射的装置，包括一细长圆柱形电弧室、同轴置于所述电弧室内的第一及第二电极构件、将液体注入所述电弧室、通过冷却所述弧光放电的周缘集聚弧光放电的液体涡流发生构件、把涡旋运动的气流通过所述圆柱形液壁的内部注入所述室内的构件，以及置于所述液体涡流发生构件内的环形涡流限制构件，该构件工作时，可以在所述液体注入所述电弧室时减少宏观紊流。 |