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IPC号:H01L
申请号
名称
发明人
公开日
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85100099
太阳能重复发电的方法与装置
张瑞武
19850401
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85100410
台面半导体器件玻璃钝化工艺
薛成山、田淑芬、刘瑞兰、赵富贤、庄惠照
19850401
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85201477
太阳电池装置
竹冈贞哉
19850520
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85201478
太阳电池组件用接线盒
竹冈贞哉
19850520
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85201479
太阳电池组件
竹冈贞哉
19850502
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85201923
在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件
鲍敏杭
19850522
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85201474
半导体基片
浅井正人
19850520
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85200131
一种低高压驱动器
庄庆德
19850401
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85200132
PMOS低高压转换电路
唐国洪
19850401
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85200134
铝栅MOS/双级复合功率管
蔡世俊、茅盘松、詹娟
19850401
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85200309
一种适于宽温区温度测量和控温用的敏感元件
郑家琪、张起鸣、冉启泽
19850401
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85200146
真空远红外充氮亚胺化装置
廖萃荃
19850401
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85109696
电子器件及其制造方法
间濑晃、小沼利光、坂间光范、犬岛乔、山崎舜平
19851225
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85109742
制造半导体集成电路器件的方法
池田修二、长泽幸一、元吉、真、永井、清、目黑、怜
19851122
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85200263
CMOS型集成流量传感器
童勤义
19850401
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85200023
单板机直接数字控制外延设备
梁任秋、黄胜军
19850401
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85109319
杂质的扩散方法
和田胜、加藤洋二
19851126
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85109419
半导体器件
竹村百子、稻叶道彦、铁矢俊夫、小林三男
19851227
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85109212
缓变晶格外延层的生长
麦尔文.西莫尔.库克
19851216
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85109678
电子器件的封装
米歇尔.琼-克劳德.蒙尼尔
19851218
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85109495
太阳电池相互电连接的方法
约翰·G·威利斯
19851203
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85109507
制造半导体器件的方法
矢元久良、铃木秀雄
19851204
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85109335
半刚性光电模块组件及其结构支撑
加里.C.卡特拉、罗纳德.C.卡尔、戴维.A.迪尔茨、保罗·E·科克、罗伯特·A·哈特曼
19851225
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85109088
薄膜晶体管的制作方法
林久雄、野口隆
19851115
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85108671
半导体集成电路器件及其制造工艺
池田修二、小池淳义、目黑怜、奥山辛祜
19851127
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85109668
含有各种不同容量电容的集成电路
阿诺尔达斯.约翰尼斯.朱莉安娜.布德威赞斯
19851221
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85109140
碳化硅(SiC)二极管温度传感器
綦明刚、周**、邱莉、吴铁、张咏紫、邹小兴
19851212
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85108621
半导体集成电路器件
铃木康永、松原俊明、间明田治佳、浦上宪
19851123
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85108626
电子器件的制造方法
山崎舜平、伊藤健二、永山进
19851028
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85108470
一种制造半导体器件的方法及其制造设备
已亦力
19851121
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85108824
改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
杨志忠、拉尔夫.莫尔、斯蒂芬.赫金斯、安妮特.约翰科克、普雷·内斯
19851104
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85108634
双极异质结晶体管及其制造方法
格翰纳姆.莫斯塔法.耶黑亚、默坦斯.罗伯特、尼斯.约翰
19850929
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85108969
互补半导体器件
渡边笃雄、长野隆洋、池田隆英、门马直弘、斋藤隆一
19851016
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85108372
高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺
罗伯特R.道尔林、迈克尔P.德奈、格雷戈里J.阿姆斯特朗
19851101
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85108134
半导体器件
植木善夫
19851102
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85107549
无掩模被覆金属的方法
莱斯特.维恩.赫罗恩、阿纳达.霍萨克里.卡马
19851014
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85108094
具有聚光反射器的光电池阵列
尼尔.弗朗克林.施帕德
19851106
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85107988
多结半导体器件
高田纯、山口美则、太和田喜久
19850930
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85106895
具有高击穿电压的半导体器件
江本孝朗、盐见武夫
19850914
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85107077
半导体器件及其制造法
马场博之、松崎、隆
19850924
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41759
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