超高频中功率负载及其对制造工艺的改进
申请专利号 86106375
专利申请日 19860922
名称 超高频中功率负载及其对制造工艺的改进
公开（公告）号 1017580
公开（公告）日 19880406
类别 H01P 1/22
申请（专利权）人 上海市测试技术研究所
地址 上海市长乐路1227号
发明（设计）人 乔世忠、张广英、曹瑛花
专利代理机构 上海专利商标事务所
代理人 胡英浩
摘要
一种超高频中功率负载采用了特殊设计的卡片式衰减片，并使用新型材料氮化钽作为基体。这种卡片衰减片可以在产品成型后进行阻抗再调节，提高产品的精度和合格率。本产品体积小，衰减功率大，不用风冷，可以用作代天线或用作功率指示。
主权项
一个超高频（ＶＨＦ）中功率（Ｐ≤１２０ｗ）负载，包括一个同轴传输内导体，多个散热片，一个绝热过渡传输线，一个功率输入接头和衰减片，本发明的特征在于该同轴传输内导体上安置有多个散热片，一个高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端，该高频功率接头的另一端延伸进入该内导体中，与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触，该绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配，其另一端与卡片式衰减片相接触，在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合阻抗材料。

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