半导体工艺
申请专利号 85104071
专利申请日 19850528
名称 半导体工艺
公开（公告）号 1005379
公开（公告）日 19861126
类别 H01S 3/18、H01L 21/203
申请（专利权）人 标准电话电报公共有限公司
地址 英国伦敦WC2R 1DU斯特兰德190
发明（设计）人 彼得.戴维.格林、丹尼尔.塞吉斯芒多.奥托.伦纳
专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 陈景俊
摘要
用于制造半导体器件特别是但不只是Ｉｎｐ／ＩｎＧａＡｓＰ低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片（１８）靠近要生长材料的半导体晶片（１５）的安排，它们与晶状卤化碱（２０）一起在坩埚（１６）内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的．在制造ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ激光器和生长ＩｎＰ时，卤化碱可以是ＫＩ、ＲｂＩ或ＣｓＩ，并且可将一定量的Ｉｎ金属（２１）放在坩埚（１６）里，以控制确定激光器有源区的ＩｎＰ的生长与ＩｎＰ从晶片其他区域腐蚀之间的平衡．生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的．
主权项
供制造半导体器件用的质量传递工艺，其特征是在一未密封的坩埚（１６、１７）内放置要由质量传递生长材料的半导体晶片（１５），生长材料的盖片（１８）和晶状卤化碱（２０），然后将未密封的坩埚（１６、１７）于一温度下，在还原气体中加热，其时间由所需求的生长量而定。

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