具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
| 申请专利号 |
85104180 |
| 专利申请日 |
19850529 |
| 名称 |
具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器 |
| 公开（公告）号 |
1005380 |
| 公开（公告）日 |
19861126 |
| 类别 |
H01S 3/18 |
| 申请（专利权）人 |
电子科技大学 |
| 地址 |
四川省成都市建设北路二段4号 |
| 发明（设计）人 |
陈倜荣 |
| 专利代理机构 |
电子科技大学专利事务所 |
| 代理人 |
马新民 |
| 摘要 |
| 具有倒台面支承结构的铟镓砷磷／铟磷隐埋条形质量输运激光器．是在外延片上淀积掩模层，利用光刻沿０１１方向形成条形，通过选择性腐蚀形成上宽下窄的倒台面新结构，本结构有三层外延层和四层外延层两种，这两种都可以有不同的形式．具有本结构的激光器在保持有源区很窄的前提下可以在较宽的台面顶部制作电极，并且可以作成良好的欧姆接触，降低接触电阻，减少解理后续工艺中对有源区条形的破坏，提高器件的性能、成品率及稳定性． |
| 主权项 |
| 一种铟镓砷磷／铟磷隐埋条形质量输运激光器，它在ＩｎＰ导电衬底上依次生长有ＩｎＰ限制层、非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＰ有源层ＩｎＰ限制层，并通过ＩｎＰ质量输运形成完全隐埋结构，其特征是，在三层外延层上还生长有一接触顶层，在接触顶层上淀积Ｓｉ↓〔３〕Ｎ↓〔４〕或其它适当掩模层，通过光刻及选择性腐蚀沿０１１方向形成上宽下窄的倒台面支承结构。 |