兼有受激辐射与可饱和吸收二重特性的激光晶体
申请专利号 85108844
专利申请日 19851214
名称 兼有受激辐射与可饱和吸收二重特性的激光晶体
公开（公告）号 1011783
公开（公告）日 19870624
类别 H01S 3/16
申请（专利权）人 华北光电技术研究所
地址 北京市东郊大山子
发明（设计）人 桂尤喜、冀天来、薛志银、姚广涛、张世文、谷幼英
专利代理机构 电子工业部专利服务中心
代理人 逯海英
摘要
本发明为一种兼有受激辐射与可饱和吸收二重特性的激光晶体．它以钇铝石榴石〔ＹＡＧ，Ｙ－［３］Ａｌ－［５］Ｏ－［１２］〕为基质材料，并掺有０．５～１．２％（原子百分比）Ｎｄ＋［＋３０］０．００１～１．０％（原子百分比）的Ｍｇ＋［２＋］或Ｃａ＋［２＋］．该晶体可同时做为激光工作物质和被动调Ｑ、锁模元件，用于制做自调Ｑ、自锁模脉冲固体激光器．
主权项
一种兼有受激辐射与可饱和吸收二重特性的激光晶体，它是以钇铝石榴石（Ｙ↓［３］Ａｌ↓［５］Ｏ↓［１２］，ＹＡＧ）为基质材料，其特征在于该晶体的掺杂离子中包括０．５～１．２％（原子百分比）的钕离子［Ｎｄ↑［３＋］，０．００１～１．０％（原子百分比）的镁离子（Ｍｇ↑［２＋］或Ｃａ离子（Ｃａ↑［２＋］）或浓度和为０．００１～１．０％（原子百分比）的镁离子（Ｍｇ↑［２＋］）和钙离子（Ｃａ↑［２＋］）。

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