短耦合腔单膜可调谐半导体激光器
申请专利号 85200017
专利申请日 19850401
名称 短耦合腔单膜可调谐半导体激光器
公开（公告）号 0000000
公开（公告）日
类别 H01S 3/18
申请（专利权）人 清华大学
地址 北京市海淀区清华园
发明（设计）人 周炳琨、张汉一、王江林
专利代理机构 清华大学专利事务所
代理人 廖元秋
摘要
本实用新型为短耦合腔单模可调谐半导体激光器其属于激光技术领域。本实用新型提出的短耦合腔半导体激光器具有如下特征：（１）激光二极管在耦合腔一侧的表面镀增透膜；（２）用多层介质膜做耦合腔反射镜；（３）用压电晶体精确调整短耦合腔腔长。因此，具有比以往器件显著好的性能，边模抑制比达到３５ｄＢ以上。该器件可广泛应用于光纤通信、传感、计量检测等领域。
主权项
一种短耦合腔单模可调谐半导体激光器，其组成包括激光二极管［１］、致冷器［４］、短耦合腔反射镜［２］及其调节机构［１７］、输出透镜［１３］和外壳［１８］。其特征在于激光二极管位于耦合腔一侧的解理面上镀以增透膜。

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