| 申请专利号 |
85101849 |
| 专利申请日 |
19850401 |
| 名称 |
制备高纯度Ⅱ -Ⅵ 族化合物的新方法 |
| 公开（公告）号 |
1001958 |
| 公开（公告）日 |
19860730 |
| 类别 |
C01G 9/08、C01G 11/02、C01B 19/04 |
| 申请（专利权）人 |
中国科学院长春物理研究所 |
| 地址 |
中国辽宁省市长春市新民大街13号 |
| 发明（设计）人 |
黄锡珉 |
| 专利代理机构 |
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| 代理人 |
马守忠 |
| 摘要 |
| 本发明属于半导体发光材料制备领域．可制备高纯度的ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ．本发明采用高频反应加热法直接加热反应物而不加热装料容器．装料时采用＂套管冷却式＂容器，在加热反应过程中可对其冷却，因此，装料的石英安瓿内温度和压力较低，无需在其内壁涂碳黑．既可防止由于高压使石英安瓿容易爆炸，又可避免碳黑对合成物的污染，还能大大缩短合成材料的周期，达到快速安全地制备高纯度材料． |
| 主权项 |
| 一种用元素直接反应来制备高纯度ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ的方法，包括配料、装料、加热反应、分离提纯的制备方法，其特征是配料时要使金属元素锌或镉比硫、硒、碲元素稍过量。把反应元素装入石英制成的“套管冷却式”的容器中，加热反应过程中，此容器可以用水或空气进行冷却，用高频感应炉来加热反应元素使之进行化合反应。 |