| 申请专利号 |
86100517 |
| 专利申请日 |
19860305 |
| 名称 |
锗酸铋(BGO)单晶的表面抛光技术 |
| 公开（公告）号 |
1013294 |
| 公开（公告）日 |
19870916 |
| 类别 |
C09G 1/02、C09G 1/00、C09K 3/14、B24B 29/00 |
| 申请（专利权）人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 地址 |
上海市长宁路865号 |
| 发明（设计）人 |
徐润元 |
| 专利代理机构 |
上海华东专利事务所 |
| 代理人 |
聂淑仪 潘振** |
| 摘要 |
| 采用α—Ａｌ－［２］Ｏ－［３］（精磨用粒径范围是：５＜ｄ＜２５（微米）；抛光用粒径范围是：１＜ｄ＜５（微米）），磨料为抛光剂，０．５－２０％（体积）丙三醇作为润滑剂，合成树脂抛光布作为抛光膜，以及水为载液，并按０．５－２公斤磨料（经预处理的）加１－３０升水，配成的抛光液，用于ＢＧＯ大单晶体的抛光，达到了优质，（粗糙度分别达到Ｒａ≤０．４５，Ｒａ≤０．０３微米）高效，低耗和无毒的效果． |
| 主权项 |
| 一种适合ＢＧＯ单晶体的表面抛光技术，采用真丝绸作抛光膜，金刚石研磨膏作抛光剂，研磨膏中的硬脂酸作为润滑剂，其特征在于： ａ．所使用的抛光磨料（α—Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）的粒度范围是： 精磨５＜ｄ＜２５微米；抛光１＜ｄ＜５微米。 ｂ．抛光液的组成及配比范围是： 磨料α—Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，０．５—２公斤 润滑剂丙三醇，０．５—２０％（体积） 载液水，１—３０升 ｃ．磨料预处理的条件是：０．５—５公斤，加２—２０升水，沉淀 １—４５分钟，弃去沉底部分。 ｄ．抛光膜是采用合成树脂抛光布。 |