半导体压力计
申请专利号 85101372
专利申请日 19850401
名称 半导体压力计
公开（公告）号 1006777
公开（公告）日 19870110
类别 G01L 9/06、G01L 19/04
申请（专利权）人 株式会社日立制作所
地址 日本东京千代田区神田骏河台四丁目6番
发明（设计）人 葛西省三、山本芳已
专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 郁玉成 王栋令
摘要
本发明涉及半导体压力计．它采用能够简便易行地进行温度补偿，且具有高精度的半导体压力传感器．在处理流体的化学设备之类的设备中用这种半导体压力传感器，检测压力和差压，然后变换成电信号输出到外部．补偿该半导体压力传感器温度特性的温度补偿电路板独立于受压主体和变换器，且通过印刷电路板连接器能任意装卸，因此容易对半导体压力计进行高精度的温度再补偿．
主权项
半导体压力计，其特征是：在装有由半导体压敏电阻组成的半导体压力传感器和补偿该半导体压力传感器温度特性的温度补偿装置的半导体压力计中，上述温度补偿装置与装有上述半导体压力传感器的受压主体和变换器相分离，独立设置，上述变换器将上述半导体压敏电阻构成的电桥输出的与压力或差压成正比的电信号变换成为规定电平的电流或电压。

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