| 申请专利号 |
85201283 |
| 专利申请日 |
19850423 |
| 名称 |
静态滴汞电极 |
| 公开（公告）号 |
0000000 |
| 公开（公告）日 |
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| 类别 |
G01N 27/34 |
| 申请（专利权）人 |
崔建中、叶忠临 |
| 地址 |
四川省成都市新南门外磨子桥中国科学院成都科学仪器厂 |
| 发明（设计）人 |
崔建中、叶忠临 |
| 专利代理机构 |
中国科学院成都专利事务所 |
| 代理人 |
梁世楷 |
| 摘要 |
| 本实用新型改进了极谱分析中电磁阀控制生成汞滴的电极．为了避免易与汞发生反应的金属污染分析用汞液，采用一高分子弹性材料隔膜，将电磁铁，压缩弹簧，柱塞，支持套等金属零部件与汞隔离．通过电磁铁柱塞带动隔膜定期地抵紧或脱离毛细管上端面，在毛细管尾端形成大小可调，生成及保持时间可控的静态汞滴．能有效地消除电容电流对极谱分析的干扰，并始终保持分析用汞液的高纯度．本装置结构简单，适用于各种极谱分析仪． |
| 主权项 |
| 一种用电磁阀控制生成汞滴的静态滴汞电极，由电磁铁、柱塞，支持套、阀体和毛细管组成，其特征是有一个位于汞室与电磁铁柱塞部分之间的Ｕ型弹性隔膜。 |