水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
| 申请专利号 |
01120632 |
| 专利申请日 |
20010718 |
| 名称 |
水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管 |
| 公开（公告）号 |
1334234 |
| 公开（公告）日 |
20020206 |
| 类别 |
B82B 3/00、H01L 29/772 |
| 申请（专利权）人 |
LG电子株式会社 |
| 地址 |
韩国汉城 |
| 发明（设计）人 |
申镇国、郑珉在、韩荣洙、金圭兑、尹尚帅、李在恩 |
| 专利代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
| 代理人 |
余朦 李辉 |
| 摘要 |
| 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法，其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管，该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤：（ａ）在第一基底上形成预定触媒图形；（ｂ）在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长；（ｃ）通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；（ｄ）在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。 |
| 主权项 |
| 一种水平生长碳纳米管的方法，包括以下步骤： （ａ）在第一基底上形成预定触媒图形； （ｂ）在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长； （ｃ）通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；以及 （ｄ）在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管，以便在水平方向生长碳纳米管。 |