| 申请专利号 |
01136843 |
| 专利申请日 |
20011026 |
| 名称 |
一种单/多层异质量子点结构的制作方法 |
| 公开（公告）号 |
1414644 |
| 公开（公告）日 |
20030430 |
| 类别 |
B82B 3/00、H01L 31/00、H01L 33/00、H01S 5/34 |
| 申请（专利权）人 |
中国科学院半导体研究所 |
| 地址 |
北京市海淀区清华东路肖庄 |
| 发明（设计）人 |
陈振、陆大成、韩培德、刘祥林、王晓晖、李昱峰、王占国 |
| 专利代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
| 代理人 |
汤保平 |
| 摘要 |
| 一种制作单／多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单／多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单／多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。 |
| 主权项 |
| 一种制作单／多层异质量子点结构的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤： 步骤１：选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的另一材料作为下一步的衬底； 步骤２：对外延生长的材料表面进行钝化，以利于量子点的形成； 步骤３：在经钝化后的上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层； 步骤４：然后在诱导层上再生长一层或多层异质量子点结构；所生长的单／多层异质量子点结构可以作为光学器件或电子器件的活性层。 |