细微构造体的精密加工方法
申请专利号 01805961
专利申请日 20010316
名称 细微构造体的精密加工方法
公开（公告）号 1407947
公开（公告）日 20030402
类别 B82B 3/00、H01L 21/30
申请（专利权）人 松下电器产业株式会社
地址 日本大阪府
发明（设计）人 山下一郎
专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 汪惠民
摘要
一种微小结构体的精密加工方法，在硅基板６上形成保存由氧化铁所形成的核１的铁蛋白４的二维结晶膜，然后，至少将核１作为蚀刻膜对硅基板１进行蚀刻。因为核１的直径为６ｎｍ，很细微，故能在基板上形成微小构造体，可以利用于利用半导体发光元件和量子效应的各种半导体元件的制造方面。
主权项
一种细微构造体的精密加工方法，其中包括： 步骤（ａ），在基板上配置将微粒子保存在能保存微粒子的保存部分的有机物分子； 步骤（ｂ），至少将上述微粒子作为蚀刻膜对上述基板上进行蚀刻加工。

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