| 一种面向多用户的键合－深刻蚀释放微电子机械加工方法，其步骤包括： １）硅片上的工艺部分 １．１）淀积或热生长ＳｉＯ↓［２］、第一面涂胶保护、腐蚀蚀ＳｉＯ↓［２］、去胶； １．２）第一面光刻、腐蚀ＳｉＯ↓［２］、去胶； １．３）硅浅台阶腐蚀、腐蚀去除ＳｉＯ↓［２］； ２）ＰＹＲＥＸ７７４０或ＨＯＹＡ ＳＤ２玻璃片上的工艺部分 ２．１）光刻、腐蚀玻璃浅槽； ２．２）溅射电极金属； ２．３）剥离形成金属电极； ３）组合工艺部分 ３．１）硅片，玻璃片键合对准； ３．２）硅／玻璃静电键合； ３．３）硅片腐蚀减薄； ３．４）划片； ３．５）双面光刻； ３．３）高深宽比硅刻蚀、去胶。 |