| 申请专利号 |
03113046 |
| 专利申请日 |
20030325 |
| 名称 |
激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵 |
| 公开（公告）号 |
1438168 |
| 公开（公告）日 |
20030827 |
| 类别 |
B82B 3/00 |
| 申请（专利权）人 |
南京大学 |
| 地址 |
江苏省南京市南京市汉口路22号 |
| 发明（设计）人 |
黄信凡、陈坤基、李伟、徐骏、冯端、王明湘、姜建功、施伟华 |
| 专利代理机构 |
南京师范大学专利事务所 |
| 代理人 |
陈建和 |
| 摘要 |
| 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗／非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其中ａ－Ｓｉ：Ｈ子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：１５０－２５０℃。本发明实现限制性结晶能够有效地控制硅量子点的形成与大小分布，由于多层调制结构中ａ－Ｓｉ：Ｈ子层的厚度可人工设计，精度可达０．５ｎｍ，可控性强，从而使得最后形成的ｎｃ－Ｓｉ量子点尺寸也可人工设计并控制。介质层ａ－ＳｉＮ＃－［Ｘ］：Ｈ或ａ－ＳｉＯ＃－［２］子层厚度可薄至５ｎｍ， |
| 主权项 |
| 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗／非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其特征是其中ａ－Ｓｉ∶Ｈ子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化；衬底温度：１５０－２５０℃。 |